학술대회

번호 성명/학과 논문명 개최기관명 발표일자
14694 한정환
신소재공학과

[ECS transaction]

Capacitors with an equivalent oxide thickness of <0.5nm for next generation semiconductor memory

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명ECS(Electrochemical Society)

발표일자2010-10-11

ECS(Electrochemical Society) 2010-10-11
14693 한정환
신소재공학과

[ISIF 2010]

TiO2 AND Al doped TiO2 films grown by atomic layer deposition for next generation DRAM capacitor

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명Institute of Materials Research and Engineering (IMRE)

발표일자2010-06-13

Institute of Materials Research and Engineering (IMRE) 2010-06-13
14692 한정환
신소재공학과

[Atomic Layer Deposition 2010]

Investigation on the Growth Initiation of Ru Thin Films by Atomic Layer Deposition

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명AVS International Conference on Atomic Layer Deposition

발표일자2010-06-21

AVS International Conference on Atomic Layer Deposition 2010-06-21
14691 한정환
신소재공학과

[Atomic Layer Deposition 2010]

Characterization of ALD Al-doped TiO2 films on ultrathin Ru buffered TiN layer for application to sub-30 nm DRAM capacitor

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명AVS International Conference on Atomic Layer Deposition

발표일자2010-06-21

AVS International Conference on Atomic Layer Deposition 2010-06-21
14690 한정환
신소재공학과

[제15회 한국반도체학술대회]

Fabrication and Characterization of High-k Gd2O3 MIM Capacitors Using ITO Thin Films as Bottom Electrode

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명한국반도체산업협회

발표일자2008-02-20

한국반도체산업협회 2008-02-20
14689 한정환
신소재공학과

[제 5차 강유전체 연합 심포지엄]

ALD 방법으로 증착한 TiO2/Ru 박막을 이용한 박막형 다층 세라믹 커패시터(MLCC)의 제조 및 특성

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명강유전체연구회

발표일자2009-02-08

강유전체연구회 2009-02-08
14688 한정환
신소재공학과

[제 17회 한국 반도체 학술대회]

Improved growth characteristics of SrTiO3 thin films deposited by Atomic Layer Deposition using Sr(iPr3Cp)2 and Ti(O-iPr)2(thd)2

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명한국반도체산업협회

발표일자2010-02-24

한국반도체산업협회 2010-02-24
14687 한정환
신소재공학과

[INFOS 2011]

Electrical properties of TiO2-based MIM capacitors deposited by TiCl4 and TTIP based atomic layer deposition processes

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명IEEE

발표일자2011-06-21

IEEE 2011-06-21
14686 한정환
신소재공학과

[ECS transaction]

A Mass-production Compatible Capacitor Technology for DRAMs with Design Rule Down to 20nm

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명ECS(Electrochemical Society)

발표일자2009-05-24

ECS(Electrochemical Society) 2009-05-24
14685 한정환
신소재공학과

[ECS transaction]

Improved Growth Behaviors of SrTiO3 Thin films Using the Optimized Seed Layer deposited by Atomic Layer Deposition

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명ECS(Electrochemical Society)

발표일자2009-05-24

ECS(Electrochemical Society) 2009-05-24
14684 한정환
신소재공학과

[Atomic Layer Deposition 2011]

initial growth of ALD-SrTiO3 films with interposed ALD-Al2O3 layer

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명AVS International Conference on Atomic Layer Deposition

발표일자2011-06-26

AVS International Conference on Atomic Layer Deposition 2011-06-26
14683 한정환
신소재공학과

[EuroCVD 18]

Deposition of Ru based electrodes using CVD/ALD for MIM capacitor of next generation DRAM device

성명한정환

학과신소재공학과

개최기관명ECS(Electrochemical Society)

발표일자2011-09-04

ECS(Electrochemical Society) 2011-09-04